第三代半導體材料的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN），與第一代半導體材料的矽（Si）、第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs）相比，有著尺寸小、效率高、散熱迅速等特性。適合應用於5G基地台、加速快充以及電動車充電樁等相關產品領域，也是目前為止，技術已經足以應用商業化的產品。