業內人士預測，長江存儲有望在一兩年內與 SK 海力士和美光並駕齊驅，並預計在 2025 年下半年躋身全球 NAND 市場前三。
在 DRAM 市場部分，中國長鑫存儲的市佔率已達到 4.1%，位居第四，僅次於 SK 海力士、三星電子和美光。這意味著長期以來由三大巨頭主導的 DRAM 產業格局可能被打破。長鑫存儲目前正開發第四代高頻寬記憶體 （HBM3），並預計在 2025 年下半年與三星、SK 海力士和美光，成為全球四大 DRAM 廠商之一。
韓國半導體產業在收到 TrendForce 第一季市佔率報告後大吃一驚。首爾國立大學教授黃哲成（音譯）直指，十年內全球 DRAM 領導地位可能從韓國轉移到中國。專家警告，中國『紅色記憶體』的入侵才剛開始，這些公司背後有強勁的中國國內需求支持，且已擁有頂尖技術。」
你挖他的、他挖你的
「韓國媒體 hankyung 報導指出，中國企業技術進步神速，主要仰賴從三星和 SK 海力士等韓國龍頭企業挖角人才，並竊取 HBM（高頻寬記憶體） 等先進技術，相關案例屢見不鮮。類似的技術間諜活動在其他國家也時常發生，例如荷蘭國防部長曾透露，業界懷疑中國試圖竊取 ASML 的 EUV 曝光技術。
報導指出，市場數據顯示，中國記憶體公司的市佔率正快速增長。在 NAND 快閃記憶體市場，中國長江存儲在 2025 年第一季的全球市佔率已達 8.1%，排名第六，這是中國半導體公司市佔率首次得到官方確認。長江存儲已開發出約 300 層堆疊的 NAND 產品，技術上與三星相當。
在 DRAM 市場部分，中國長鑫存儲的市佔率已達到 4.1%，位居第四，僅次於 SK 海力士、三星電子和美光。這意味著長期以來由三大巨頭主導的 DRAM 產業格局可能被打破。長鑫存儲目前正開發第四代高頻寬記憶體 （HBM3），並預計在 2025 年下半年與三星、SK 海力士和美光，成為全球四大 DRAM 廠商之一。
韓國半導體產業在收到 TrendForce 第一季市佔率報告後大吃一驚。首爾國立大學教授黃哲成（音譯）直指，十年內全球 DRAM 領導地位可能從韓國轉移到中國。專家警告，中國『紅色記憶體』的入侵才剛開始，這些公司背後有強勁的中國國內需求支持，且已擁有頂尖技術。」