Irake
@iraq99
分享
Thu, Jan 5, 2023 3:19 PM
ref: 在摩爾定律放緩的過程中，SRAM單元微縮減緩已經成為先進晶片製程進步的最大阻礙因素之一。儘管晶片邏輯密度也在減緩，但也遠遠好於SRAM單元的縮微化。
WikiChip發佈的一份報告提到，台積電在SRAM方面的微縮速度已大大放緩，且認為SRAM單元縮微化減緩將對3nm及以下的晶片製程帶來很大影響。
台積電採用N3和N5製程的SRAM大小為0.0199μm²和0.021μm²，僅縮小了約5%。而N3E製程基本維持在0.021μm²，相較N5製程幾乎沒有微縮表現。這就導致晶片製程更多依靠晶片邏輯密度縮微化，SRAM單元成為晶片製程進步的「硬肋」。
因此，在智慧型手機市場萎靡的大行情下，性能提升不大的3nm製程，能適用的終端產品的選擇已不大。
3nm晶片性能成「雞肋」？ - 電子工程專輯
載入新的回覆
WikiChip發佈的一份報告提到，台積電在SRAM方面的微縮速度已大大放緩，且認為SRAM單元縮微化減緩將對3nm及以下的晶片製程帶來很大影響。
台積電採用N3和N5製程的SRAM大小為0.0199μm²和0.021μm²，僅縮小了約5%。而N3E製程基本維持在0.021μm²，相較N5製程幾乎沒有微縮表現。這就導致晶片製程更多依靠晶片邏輯密度縮微化，SRAM單元成為晶片製程進步的「硬肋」。
因此，在智慧型手機市場萎靡的大行情下，性能提升不大的3nm製程，能適用的終端產品的選擇已不大。