GAA相關專利數量快速增長 台積電以31.4%居第一

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在半導體行業，GAA 被認為是對 FinFET 改進的全環柵技術。兩者的區別在 FinFET 在三個表面上有電流通道，而 GAA 在四個表面上有電流通道。

FinFET 相關專利數量在 2017 年達到 1,936 件，去年(2020)下降到 1,508，而在此期間，GAA 相關專利數量從 173 件增加到 381 件。

目前，台積電佔 GAA 相關專利申請的 31.4%，其次是三星電子（20.6%）、IBM（10.2%）和 GlobalFoundries（5.5%）。台積電和三星電子之間的競爭可能會繼續升溫。

三星電子計劃從明年(2022)開始將 GAA 應用於其 3 奈米製程。台積電方面，計畫預計 2023 年開始從 2 奈米採用 GAA 技術。然而，良率可能還是問題關鍵。根據韓媒報導(2021.7.4)，三星電子在華城園區廠最先進的 V1 線，仍存在良率難解問題，5 奈米產品的良率仍低於 50%。

這可能與日本化學輔料有關，由於日本對韓國實施半導體三項關鍵原料管制，造成三星在先進奈米製程的良率無法提升。