半導體材料歷經 3 個發展階段，第一代是矽（Si）、鍺（Ge）等基礎功能材料；第二代開始進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等為代表；第三代則是氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等寬頻化合物半導體材料。

目前全球絕大多數半導體元件，都是以矽作為基礎功能材料的矽基半導體，不過，在高電壓功率元件應用上，矽基元件因導通電阻過大，往往造成電能大量損耗，且在高頻工作環境下，矽元件的切換頻率相對較低，性能不如寬頻化合物半導體材料。

矽基半導體受限矽材料的物理性質，而氮化鎵、碳化矽則因導通電阻遠小於矽基材料，導通損失、切換損失降低，可帶來更高的能源轉換效率。挾著高頻、高壓等優勢，加上導電性、散熱性佳，元件體積也較小，適合功率半導體應用，近來在 5G、電動車等需求推升下，氮化鎵等材料崛起成為半導體材料明日之星。

光電半導體器件類占據了2016年全球氮化鎵半導體器件市場最大的市場份額。主要歸因於其在消費和企業、工業和汽車行業的廣泛應用。氮化鎵發光二極體（light-emitting diodes, LEDs）廣泛應用於筆記本電腦和電腦顯示器、手機顯示屏、投影儀、電視機和監視器、指示牌和大型顯示器等。氮化鎵發光二極體也可用於汽車領域的內部和外部照明，如車燈和信號燈、汽車內部照明、霧燈、停車燈和頂燈等。

５Ｇ不是只有速度快！目前４Ｇ技術在點對點的連接延遲約為五○毫秒，無法達到即時控制與命令，但在５Ｇ的技術規格下點對點的連線延遲可以縮短至一毫秒內，在這樣的條件下，即時透過網路傳輸命令將有可能實現；我們現在所使用的４Ｇ僅是單方面的資料傳輸，就好像我傳訊息給你，你收到看到後再回傳我訊息，而５Ｇ則是多面向的資料傳輸、多面向的連結，可以實現行動醫療、智慧城市、車聯網等，假設馬路上發生交通事故，附近的車輛即可馬上作出判斷規劃出其他路線避開，紅綠燈配合交通管制，消防局、警察局也在第一時間出動。